RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
43
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2935
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link