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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
43
Autour de -87% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3233
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
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