RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
59
Autour de -51% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2808
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link