RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
59
Autour de -111% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3344
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link