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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
59
Autour de -146% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.5
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2113
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
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