RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
59
Autour de -157% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2935
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link