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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
59
Autour de -55% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2324
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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