RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
59
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
40
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2204
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link