RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
59
Autour de -90% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3154
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link