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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
69
74
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
74
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
1849
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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