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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
69
Autour de -82% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2384
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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