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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
5300
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
69
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,329.2
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
69
52
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
4,594.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
2,329.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
5300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
724
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS2GB800D2 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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