RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
69
Autour de -38% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
50
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2248
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link