RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
58
Autour de -71% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3429
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link