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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
58
Autour de -132% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3886
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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