RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
58
Autour de -164% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3083
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-6000U4040E16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link