RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
58
Autour de -76% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2524
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link