RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2951
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Corsair CMZ16GX3M4A2400C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link