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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3379
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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