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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3279
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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