RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2505
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link