RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3310
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link