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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
46
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
7.8
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.1
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
41
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
7.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
1512
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CAS Latency (CL) *
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calculate
Absolute Latency
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