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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2942
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