RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
60
Autour de -150% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3346
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link