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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
60
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.9
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
51
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
9.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2314
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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