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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
60
Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2609
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
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