RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
AMD R748G2606U2S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R748G2606U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
61
65
Autour de -7% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
61
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2028
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link