RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
65
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2196
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link