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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
65
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.8
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.0
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
8.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
5.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
1967
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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