Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Note globale
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Note globale
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SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 13.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,784.6 left arrow 10.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    37 left arrow 65
    Autour de -76% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 6400
    Autour de 2.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    65 left arrow 37
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,806.8 left arrow 13.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,784.6 left arrow 10.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    932 left arrow 2191
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons