RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
77
Autour de -71% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
45
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2556
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link