RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
77
Autour de -148% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3022
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link