RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
77
Autour de -305% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3355
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link