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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
77
Autour de -185% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3692
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
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