RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3462
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link