RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
70
Autour de 49% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
15
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
70
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
1934
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link