RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
36
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3260
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link