Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15 left arrow 14.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 36
    Autour de -33% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.5 left arrow 10.3
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    36 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.0 left arrow 14.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    10.3 left arrow 10.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2569 left arrow 2409
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons