Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Note globale
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Note globale
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Différences

  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.5 left arrow 11.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    31 left arrow 34
    Autour de -10% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.2 left arrow 15.4
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    34 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.4 left arrow 16.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    11.5 left arrow 11.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • Timings / Vitesse d'horloge
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2763 left arrow 2897
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons