RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
33
Autour de -38% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
24
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3037
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link