Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Différences

  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 17000
    Autour de 1.51% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    30 left arrow 33
    Autour de -10% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.9 left arrow 12.0
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    33 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    17.6 left arrow 17.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    12.0 left arrow 13.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2910 left arrow 3473
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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