RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
33
Autour de -38% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
24
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2618
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.M16FM 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link