RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
33
Autour de -6% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
31
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3112
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link