RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Comparez
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Note globale
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
14.4
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3419
3234
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link