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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
36
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
3064
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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