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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
37
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2259
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
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