RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2429
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link