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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2475
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
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