RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2667
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link